La cinese CXMT (ChangXin Memory Technologies) ha intenzione di commercializzare entro la fine dell'anno il suo primo modulo di memoria server DDR5 RDIMM basato su celle DRAM 4F². L'annuncio è stato dato dal presidente dell'azienda, Cao, durante l'Integrated Chips and Chiplets Conference (ICCC), un evento di rilievo nel settore dei semiconduttori. Si tratta di un passo significativo per il produttore cinese, che finora era rimasto indietro rispetto ai colossi sudcoreani nella corsa alle tecnologie di memoria più avanzate.
Perché le celle 4F² sono una svolta
La tecnologia 4F² rappresenta un'evoluzione rispetto alle celle 6F² attualmente utilizzate nelle DRAM tradizionali. Riducendo l'area occupata da ciascuna cella, è possibile aumentare la densità di memoria e migliorare l'efficienza energetica, due fattori cruciali per i data center e i carichi di lavoro legati all'intelligenza artificiale. Samsung e SK Hynix stanno lavorando a soluzioni simili, ma CXMT sembra voler bruciare le tappe con un prodotto pronto per il mercato in tempi rapidi.
Impatto sul mercato delle memorie
Se CXMT riuscirà a rispettare la tabella di marcia, il mercato delle DRAM per server potrebbe assistere a un nuovo equilibrio. La Cina ridurrebbe la dipendenza dalle forniture estere e aumenterebbe la concorrenza, con possibili ricadute sui prezzi. Tuttavia, restano da verificare la resa produttiva e l'effettiva adozione da parte dei grandi operatori cloud. La mossa di CXMT è un chiaro segnale: la corsa alla memoria di nuova generazione è appena iniziata.
