Micron ha presentato una roadmap ambiziosa per le prossime generazioni di memoria DRAM, puntando a un incremento della densità del 25%. L'obiettivo è mantenere il ritmo della legge di Moore in un settore dove la miniaturizzazione delle celle sta diventando sempre più complessa. Durante un recente evento tecnico, l'azienda ha illustrato le strategie chiave che guideranno l'evoluzione della memoria nei prossimi anni.
Wafer bonding e litografia High-NA EUV
Tra le innovazioni spicca l'adozione del wafer bonding, una tecnica che permette di impilare più strati di silicio per aumentare la densità senza ridurre ulteriormente le dimensioni delle celle. A questa si affianca la litografia High-NA EUV, che consentirà di incidere circuiti più piccoli e precisi, superando i limiti delle attuali tecnologie. Micron sta anche esplorando nuovi materiali per migliorare le proprietà elettriche e la scalabilità delle memorie.
Verso memorie più capienti ed efficienti
Queste innovazioni non sono solo un esercizio tecnico: l'aumento della densità delle DRAM si tradurrà in moduli di memoria più capienti, con ricadute positive su data center, intelligenza artificiale e dispositivi mobili. La roadmap di Micron promette di ridurre i costi per bit e migliorare l'efficienza energetica, fattori cruciali in un'era in cui la domanda di memoria è in costante crescita. L'azienda non ha ancora fornito date precise, ma i primi prodotti basati su queste tecnologie potrebbero arrivare entro la fine del decennio.
