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TSMC verso la 3D DRAM su spinta di NVIDIA: sfida aperta a Samsung, SK Hynix e Micron

TSMC verso la 3D DRAM su spinta di NVIDIA: sfida aperta a Samsung, SK Hynix e Micron Fonte: Hardware Upgrade
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TSMC valuta l'ingresso nel mercato delle memorie 3D DRAM su richiesta di NVIDIA. L'obiettivo è ridurre i colli di bottiglia dell'AI e sfidare i big della memoria

TSMC potrebbe presto affacciarsi su un terreno finora dominato da altri. Stando a quanto riportato da The Information, il colosso taiwanese avrebbe avviato una fase di valutazione per la realizzazione di memorie 3D DRAM, una tecnologia che impila verticalmente le celle per aumentare densità e capacità dei chip. L'iniziativa sarebbe partita su precisa richiesta di NVIDIA, suo principale cliente.

Un progetto nato dalle esigenze dell'AI

L'interesse di NVIDIA è tutt'altro che casuale. La disponibilità di DRAM è oggi uno dei principali colli di bottiglia per l'espansione delle infrastrutture dedicate all'intelligenza artificiale, e coinvolgere il proprio partner produttivo anche nella realizzazione delle memorie ridurrebbe la dipendenza dai fornitori tradizionali. A coordinare il progetto sarebbe Hsu Kuo-chin, vicepresidente TSMC responsabile delle tecnologie di packaging avanzato, già a capo di soluzioni come CoWoS e CoPoS: competenze nell'impilamento tridimensionale che potrebbero rivelarsi decisive per portare la 3D DRAM dalla progettazione alla produzione su larga scala.

Come entrare nel mercato: fabbriche nuove o impianti riconvertiti

Se il progetto dovesse concretizzarsi, TSMC si troverebbe a competere direttamente con i tre giganti della memoria: Samsung, SK Hynix e Micron, che oggi sostengono la maggior parte della produzione mondiale di DRAM e delle memorie HBM usate dagli acceleratori AI. Per organizzare la capacità produttiva necessaria, l'azienda valuterebbe due strade: costruire nuovi stabilimenti dedicati oppure acquisire un impianto esistente da riconvertire. Quest'ultima opzione ridurrebbe i tempi di ingresso, considerando che una nuova fabbrica di semiconduttori richiede diversi anni.

L'avvicinamento al comparto delle memorie, del resto, è già iniziato. Lo scorso ottobre, secondo indiscrezioni, NVIDIA avrebbe chiesto a Samsung, SK Hynix e Micron di utilizzare il processo produttivo a 3 nanometri di TSMC per realizzare il base die delle proprie memorie HBM custom (NVHBM). La produzione diretta di DRAM rappresenterebbe un ulteriore salto: da fornitore di tecnologie produttive a concorrente dei maggiori produttori di memoria.

Per ora, però, tutto resta allo stadio di valutazione preliminare. Né TSMC né NVIDIA hanno commentato le indiscrezioni, e non è chiaro quando potrebbe partire un'eventuale produzione commerciale né quali volumi il produttore taiwanese intenda raggiungere. La transizione verso architetture tridimensionali resta comunque una delle direzioni chiave dell'industria, con l'obiettivo di superare i limiti di scalabilità delle soluzioni tradizionali.

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