Al SEDEX 2026 di Seul, Samsung e SK hynix hanno alzato il velo sulle rispettive memorie HBM4E, settima generazione di High Bandwidth Memory progettata per gli acceleratori di intelligenza artificiale. La notizia conferma una consapevolezza ormai diffusa nel settore: il vero collo di bottiglia dell'AI non è la potenza di calcolo delle GPU, ma la capacità di alimentarle con dati a velocità sufficiente.
Prestazioni e specifiche
Le HBM4E promettono un salto generazionale significativo: si parla di larghezze di banda superiori a 2 TB/s per stack e capacità fino a 48 GB, con un numero di layer DRAM che potrebbe raggiungere le 16 unità. Rispetto alle HBM3E attuali, l'incremento è stimato intorno al 40-50% in termini di throughput. Questo significa che i futuri acceleratori per training e inferenza di modelli linguistici di grandi dimensioni potranno ridurre i colli di bottiglia legati al trasferimento dei dati, migliorando sia la velocità che l'efficienza energetica.
Impatto sul settore AI
La mossa di Samsung e SK hynix arriva in un momento cruciale: la domanda di memoria HBM è in forte crescita, trainata da giganti come NVIDIA, AMD e dai principali hyperscaler. Con le HBM4E, i due produttori coreani intendono consolidare la propria posizione in un mercato sempre più competitivo, dove anche Micron sta accelerando. La vera partita, però, non si gioca solo sulla capacità: è la banda passante a determinare le prestazioni reali dei sistemi AI, e qui le nuove memorie promettono di spostare l'asticella.
In sintesi, Samsung e SK hynix hanno capito che per far decollare l'intelligenza artificiale di prossima generazione non basta più aumentare i core dei processori: serve una rivoluzione nella memoria. Le HBM4E rappresentano il primo passo concreto verso questa direzione, con applicazioni che spazieranno dai data center ai sistemi edge entro il 2027.
